[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14p-502-1] α-Ga₂O₃の表面バンドベンディングの評価

〇(M1)藤木 嘉樹¹、城川 潤二郎¹、荒木 努¹、名西 憓之¹、織田 真也² (1.立命館大理工、2.FLOSFIA)

キーワード：α-Ga2O3、表面バンドベンディング、KFM

α-Ga₂O₃は、SiCやGaNに比べて約5.3 eVと大きなバンドギャップを有しており、より高耐圧、低オン抵抗なパワーデバイスへの応用が期待されている。今回は、物性研究の一つとして、結晶欠陥のデバイスへの影響を考えている。β-Ga₂O₃において、表面における負に帯電した結晶欠陥の存在による表面バンドベンディングがオーミック電極形成の際に影響を及ぼしている。そこで、α-Ga₂O₃においても同様のことが生じている可能性について調べた結果を報告する。