[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14p-502-10] ミストCVD法によるα-Al₂O₃基板へのNiO薄膜の成長

〇池之上 卓己¹、井上 純輝²、三宅 正男¹、平藤 哲司¹ (1.京大院エネ科、2.京大工)

キーワード：ミストCVD、酸化ニッケル