[14p-502-1~15] 21.1 Joint Session K

[14p-502-11] MOCVD deposition of Fe-doped NiO films using Tris(2,4-pentanedionato)iron(Ⅲ) as Fe source

〇Shungo Sakai¹, Kentaro Taguchi¹, Kazuki Fujiwara¹, Hiroyasu Ishikawa^1,2 (1.Shibaura Inst. of Tech., 2.SIT Research Center for Green Innovation)

Keywords:NiO, MOCVD, Fe-doped

ビス(2,4-ペンタンジオナト)ニッケル(II)水和物、トリス(2,4-ペンタンジオナト)鉄(III)及びO₂ガスを原料とし、有機金属昇華用及び薄膜堆積用の横型管状炉2台を用いたMOCVD装置によりFeドープNiO薄膜を作製した。電気的特性について、Fe/Niモル比0.1%のFeドープNiO試料はアニール前では高抵抗のため測定ができなかったが、アニール後では抵抗率が下がり2.383×10² Ω･cmが得られた。本研究ではFeドープによるNiO薄膜の低抵抗化を試みた結果について報告する。