[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14p-502-12] p形NiO薄膜における電気的特性と光学的特性の関係

〇小野 瑞生¹、尾沼 猛儀^1,2、後藤 良介¹、佐々木 公平^3,2、永井 裕己¹、山口 智広¹、東脇 正高²、倉又 朗人³、山腰 茂伸³、佐藤 光史¹、本田 徹¹ (1.工学院大、2.情通機構、3.タムラ製作所)

キーワード：電荷移動型遷移

p形NiO薄膜の吸収係数を光学測定により求め、価電子帯の電子構造をXPSで調べた。さらに密度汎関数理論計算を行い、実験結果と比較することで電気的特性と光学的特性の関係を明らかにすることを試みた。測定試料は基板温度が低いものほど抵抗率は低いが、黒く着色している。導電性の高いNiO薄膜の黒い着色は、基板温度が低いとNi空孔濃度が増加し、Ni³⁺が形成されることによって起こる電荷移動型遷移が原因であることが分かった。