[14p-502-1~15] 21.1 Joint Session K

[14p-502-13] MOCVD growth of CuO thin films on C-sapphire, YSZ (111) and MgO (111) substrates

〇Kazuki Fujiwara¹, Kentaro Taguchi¹, Syungo Sakai¹, Hiroyasu Ishikawa^1,2 (1.Shibaura Inst Tech., 2.SIT Research Center.)

Keywords:MOCVD, CuO, epitaxial

CuOは1.3～2.1 eVの間接遷移型バンドギャップを持つp型半導体である。CuOは単接合太陽電池の理論限界変換効率曲線のピーク値1.4 eVに近いバンドギャップであり、太陽電池への応用が期待できる。前回我々は、酸素をキャリア・反応ガスに用いたMOCVD法によりガラス基板上へ単相のCuO薄膜堆積について報告を行った。本研究ではヘテロエピタキシャル成長用基板探索を目的に、3種類の酸化物結晶基板上にCuO薄膜を堆積させた結果について報告する。