[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[14p-502-13] MOCVD法によるC面サファイア、YSZ(111)及びMgO(111)基板上CuO薄膜の成長

〇藤原 一樹¹、田口 健太朗¹、酒井 駿吾¹、石川 博康^1,2 (1.芝浦工大、2.SIT研究センター)

キーワード：MOCVD、CuO、エピタキシャル

CuOは1.3～2.1 eVの間接遷移型バンドギャップを持つp型半導体である。CuOは単接合太陽電池の理論限界変換効率曲線のピーク値1.4 eVに近いバンドギャップであり、太陽電池への応用が期待できる。前回我々は、酸素をキャリア・反応ガスに用いたMOCVD法によりガラス基板上へ単相のCuO薄膜堆積について報告を行った。本研究ではヘテロエピタキシャル成長用基板探索を目的に、3種類の酸化物結晶基板上にCuO薄膜を堆積させた結果について報告する。