The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Oral presentation

21 Joint Session K » 21.1 Joint Session K

[14p-502-1~15] 21.1 Joint Session K

Tue. Mar 14, 2017 1:45 PM - 5:45 PM 502 (502)

Takayoshi Oshima(Saga Univ.), Takeyoshi Onuma(Kogakuin Univ.)

5:30 PM - 5:45 PM

[14p-502-15] Low Temperature Formation of ZnO Films by Mist-CVD

Tomoki Mikuriya1, Ogawa Hirotaka1, Kido Tomotaka1, Yatabe Zenji2, Nishi Yasutaka3, Nakazumi Masaru3, Iwahori Koichiro3, Nara Kei3, Namihira Takao4, Nakamura Yusui5,6 (1.GSST.Kumamoto Univ., 2.POIE Kumamoto Univ., 3.Nikon Conrporation., 4.IPPS.Kumamoto Univ., 5.FAST. Kumamoto Univ., 6.Phoenics.)

Keywords:zinc oxide

透明導電膜(TCO)は様々なデバイスに用いられており、低価格化が求められており、そこで安価な酸化亜鉛(ZnO)が注目されている。本研究では、大気圧で成膜可能なミストCVD法を用いて低温でGaドープZnO薄膜を形成することを目的としている。低温成膜の実現により、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のプラスチックフィルムにZnO膜を形成することが出来きるため、TCOの顕著な低価格化につながると期待される。