[14p-502-1~15] 21.1 Joint Session K

△ [14p-502-4] Relationship between crystal defects and leakage current of (-201) β-Ga₂O₃
Schottky barrier diodes

〇Tomoya Moribayashi¹, Akihiro Hashiguchi¹, Takayoshi Oshima¹, Kenji Hanada¹, Toshiyuki Oishi¹, Kimiyoshi Koshi², Kohei Sasaki², Akito Kuramata², Osamu Ueda³, Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ., 2.Tamura Corp., 3.Kanazawa Inst. Tech.)

Keywords:Ga2O3

β-Ga₂O₃は，EFG法により低コストで大型高品質のバルク単結晶の育成が可能であり，次世代のパワーデバイス材料として期待されている．しかし，結晶中には欠陥が存在し，それらのデバイス特性に与える影響が未解明であった．そこで我々は近年，(0-10)面上に作製したSBDの電気的特性は，転位に依存することを明らかにした．本発表では，EFG法の育成結晶の主面でもある(-201)面上に作製したSBDのリーク電流と結晶欠陥の関係について報告する．