[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14p-502-4] (-201) β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係

〇森林 朋也¹、橋口 明広¹、大島 孝仁¹、花田 賢志¹、大石 敏之¹、輿 公祥²、佐々木 公平²、倉又 朗人²、上田 修³、嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工、2.タムラ製作所、3.金沢工大)

キーワード：酸化ガリウム

β-Ga₂O₃は，EFG法により低コストで大型高品質のバルク単結晶の育成が可能であり，次世代のパワーデバイス材料として期待されている．しかし，結晶中には欠陥が存在し，それらのデバイス特性に与える影響が未解明であった．そこで我々は近年，(0-10)面上に作製したSBDの電気的特性は，転位に依存することを明らかにした．本発表では，EFG法の育成結晶の主面でもある(-201)面上に作製したSBDのリーク電流と結晶欠陥の関係について報告する．