[14p-502-1~15] 21.1 Joint Session K

[14p-502-6] Temperature Dependence of Current-voltage Characteristics of Hetero-junction Diode between NiO and beta-Ga₂O₃

〇Shinji Nakagomi¹, Shohei Kubo¹, Yoshihiro Kokubun¹ (1.Ishinomaki Senshu)

Keywords:Ga2O3, hetero junction diode, high temperature

NiOとβ-Ga₂O₃からなるヘテロ接合ダイオードの電流-電圧特性を、室温から400℃までの範囲で評価した。動作温度400℃においても3×10⁴程度の整流比が保たれており、高温動作が可能である。温度依存性から障壁高さを見積もると、約1.4eVが得られた。