[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[14p-502-6] NiO/β-Ga₂O₃ヘテロ接合ダイオードの電流-電圧特性の温度依存性

〇中込 真二¹、久保 匠平¹、國分 義弘¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ガリウム、ヘテロ接合ダイオード、高温

NiOとβ-Ga₂O₃からなるヘテロ接合ダイオードの電流-電圧特性を、室温から400℃までの範囲で評価した。動作温度400℃においても3×10⁴程度の整流比が保たれており、高温動作が可能である。温度依存性から障壁高さを見積もると、約1.4eVが得られた。