The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Oral presentation

21 Joint Session K » 21.1 Joint Session K

[14p-502-1~15] 21.1 Joint Session K

Tue. Mar 14, 2017 1:45 PM - 5:45 PM 502 (502)

Takayoshi Oshima(Saga Univ.), Takeyoshi Onuma(Kogakuin Univ.)

3:45 PM - 4:00 PM

[14p-502-8] Solid-phase crystallization of amorphous V-doped ZnO film on Al2O3(11-20) substrate

Kenta Shito1, Akihiro Watanabe2, Hioshi Chiba2,3, Tomoyuki Kawashima2, Katsuyoshi Washio2 (1.Tohoku Univ., 2.Grad.Sch.Eng.Tohoku Univ., 3.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:zinc oxide, crystal growth, a face sapphire

c面サファイア基板上に堆積した擬似アモルファスV添加ZnO(pa-VZO)薄膜の固相成長(SPC)について報告してきた。このpa-VZO薄膜はシード層となる成長初期配向層を有しており、その配向性はSPC後の薄膜配向性に大きく影響すると考えられる。本報告では、c面より格子不整合度の小さいa面サファイア(Al2O3(11-20))基板を用いることで、シード層の配向性向上とそれに伴うSPC-VZO薄膜の高配向化を検討した。