[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[14p-502-8] a面サファイア基板上アモルファスV添加ZnO薄膜の固相成長

〇志藤 健太¹、渡部 晃弘²、千葉 博^2,3、川島 知之²、鷲尾 勝由² (1.東北大工、2.東北大院工、3.学振特別研究員　DC)

キーワード：酸化亜鉛、結晶成長、a面サファイア

c面サファイア基板上に堆積した擬似アモルファスV添加ZnO（pa-VZO）薄膜の固相成長（SPC）について報告してきた。このpa-VZO薄膜はシード層となる成長初期配向層を有しており、その配向性はSPC後の薄膜配向性に大きく影響すると考えられる。本報告では、c面より格子不整合度の小さいa面サファイア(Al₂O₃(11-20))基板を用いることで、シード層の配向性向上とそれに伴うSPC-VZO薄膜の高配向化を検討した。