2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 窒化物半導体特異構造の科学 ~発光再結合の解明と制御~

[14p-503-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学 ~発光再結合の解明と制御~

2017年3月14日(火) 13:45 〜 17:45 503 (503)

三宅 秀人(三重大)、川上 養一(京大)

16:15 〜 16:45

[14p-503-6] m面AlInNエピタキシャルナノ構造を用いた偏光光源の可能性

秩父 重英1、小島 一信1、上殿 明良2、佐藤 義孝3 (1.東北大多元研、2.筑波大数物系、3.双葉電子工業)

キーワード:窒化アルミニウムンジウム、時間分解フォトルミネッセンス

混ざりにくいAl1-xInXN混晶薄膜をm面GaN基板上にMOVPE成長させて蛍光表示管に実装し、深紫外線から緑色までの小型偏光光源を形成した。AlInN薄膜はある膜厚以上ではナノボード構造体となり、非輻射再結合中心を形成する空孔欠陥濃度も高いがバンドに付随する発光を呈す。発表ではこの理由について議論する。