[14p-B5-1~11] 15.1 バルク結晶成長

[14p-B5-5] 誘導加熱TSSG法によるSiC成長時の融液内対流現象に関する数値解析

山本 卓也¹、〇岡野 泰則¹、宇治原 徹² (1.阪大基礎工、2.名大工)

キーワード：数値解析、SiC、TSSG

誘導加熱Top Seeded Solution Growth (TSSG)法を用い高品質なSiCバルク結晶を作製することを目的に、結晶成長時の融液内流動や温度分布等の移動現象に関する数値解析を行った。