[14p-B5-1~11] 15.1 バルク結晶成長

[14p-B5-8] TLZ法による高純度SiGe結晶育成

〇木下 恭一^1,2、荒井 康智³、前田 辰郎⁴、佐藤 靖則⁵、依田 秀彦⁶ (1.日本宇宙フォーラム、2.明大理工、3.宇宙航空研究開発機構、4.産総研、5.（株）TDY、6.宇都宮大工)

キーワード：シリコンゲルマニウム、結晶成長、透過率

Traveling Liquidus Zone (略称TLZ) 法は，均一組成のバルク混晶育成に有効な方法である．これまではBNや石英ルツボを使用して結晶成長を行ってきたが，今回高純度カーボンルツボを使用してSiGe結晶成長を行った．透過率測定結果等について報告する．