[14p-B6-1~15] 13.10 化合物太陽電池

△ [14p-B6-14] ヘテロ成長により作製したSi基板上III-V-N太陽電池構造のエピタキシャルリフトオフ

〇山根 啓輔¹、佐藤 健人¹、関口 寛人¹、岡田 浩²、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大院・工、2.豊橋技科大EIIRIS)

キーワード：III-V-N混晶、エピタキシャルリフトオフ、ヘテロエピタキシー

III-V-N混晶はSi 基板上に無欠陥で形成でき、バンドギャップを大きく調整できる事から太陽電池の新規材料として期待されている。我々はこれまでに、格子整合系GaAsPN p-i-n接合の成長に成功した。次のステップとしてSi基板上太陽電池構造を異種基板に自在に転写することができれば、フレキシブルセルや、大面積多接合セルなどへの応用先が大きく開ける。本研究では、ヘテロ成長により作製したSi基板上GaAsPN p-i-n構造を異種基板に転写することを試みた。