[14p-B6-1~15] 13.10 化合物太陽電池

[14p-B6-5] AlGaAs母体中のInAs量子ドット構造における室温赤外吸収観察

〇吉川 弘文^1,2,3、渡邉 克之^1,2、小谷 晃央^1,2,3、北澤 田鶴子³、岩本 敏^1,2、和泉 真³、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.シャープ)

キーワード：量子ドット、太陽電池、中間バンド

中間バンド型量子ドット太陽電池では、バンドギャップの広い母体材料を用いることにより超高効率太陽電池となることが理論予測されている。これまでバンド構造の最適化を目的に、母体材料にAl_0.3Ga_0.7Asを用いた高密度InAs量子ドット構造の作製を報告してきた。今回我々は、Al_0.3Ga_0.7As母体の積層QD構造において室温赤外吸収測定をおこない、約0.41 eV以上で中間準位－母体材料伝導帯間吸収（IB-CB吸収）を観察したので報告する。