[14p-E204-1~21] 2.1 放射線物理一般・検出器基礎

[14p-E204-21] 酸化物半導体のX線耐性の基礎研究

〇(M1)大鷹 豊^1,2、島添 健次²、小山 晃広²、三好 寿顕³、飯本 武志²、高橋 浩之²、井上 一雅¹、福士 政広¹ (1.首都大、2.東大、3.SHARP)

キーワード：IGZO、放射線耐性

近年，X線イメージングを行うための検出器はFPDが主流となってきている。一般的なFPDはスイッチング素子として，TFT素子にa-Siを用いている。TFTをスイッチング素子としてオフ時の低リーク特性を持つIGZOとする事で，電荷リークが少なくなり低X線量でのイメージングが期待されている。そこで本研究では，X線による耐性評価を実施したものを報告する。