[14p-E205-1~14] 13.7 ナノ構造・量子現象

[14p-E205-14] InAs量子ドット周辺の歪み制御によるGaAs表面からのテラヘルツ電磁波発生波長の長波長化

〇小島 磨¹、和泉 亮¹、喜多 隆¹ (1.神戸大院工)

キーワード：量子ドット、テラヘルツ

前回、我々は、InAs量子ドット(QD)を含むGaAs結晶に超短パルス光を照射して得られるテラヘルツ電磁波のポンプ光エネルギー依存性から、QDを含む試料では格子不整合に歪みのためにGaAsよりも長波長での励起でテラヘルツ電磁波が得られること、さらにQD表面を窒素原子で覆うことでQD周辺の歪みの変化によるポテンシャル構造の変化が生じることを報告した。そこで、今回、我々は、これらの知見を活かして、より波長が長いパルス光でのテラヘルツ電磁波発生を目的に研究を行った。