[14p-E205-1~14] 13.7 ナノ構造・量子現象

△ [14p-E205-7] KFMを用いたInAs量子ドット表面近傍のバンド解析

〇(M2)小林 知弘¹、高林 紘¹、下村 憲一¹、Zhang Yuwei¹、山田 郁彦¹、神谷 格¹ (1.豊田工大)

キーワード：量子ドット、ケルビンプローブ顕微鏡、フェルミレベルピニング

InAs量子ドットはサイズに依存したI-V特性を有している一方、その機構に不明な点がある。近年、表面InAs QDの表面仕事関数測定からQD周囲に仕事関数凹部が観測され、I-V特性とWF dipの相関が示唆された。前回我々はInAs QDの歪緩和やSiドープにより表面仕事関数の局所的変化を報告した。本研究ではこの変化を、表面・界面電荷に着目して解析することで表面仕事関数・バンド並びの変化機構及び仕事関数凹部の形成機構解明を目指した。