2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 ナノ構造・量子現象

[14p-E205-1~14] 13.7 ナノ構造・量子現象

3.11と13.7のコードシェアセッションあり

2017年3月14日(火) 13:45 〜 17:30 E205 (E205)

岡本 創(NTT)、井原 章之(京大)

15:45 〜 16:00

[14p-E205-8] 変質処理によりInを導入させたGaAsナノワイヤの発光特性

中野 真理菜1、合田 拓矢1、碇 哲雄1、西岡 康平2、石川 史太郎2、福山 敦彦1 (1.宮崎大工、2.愛媛大工)

キーワード:半導体、ナノワイヤ、フォトルミネッセンス

化合物半導体ナノワイヤ(NWs)の波長制御や酸化物化を実現するために、変質処理法が提案されている。これは成長したGaAs NWsをIn液滴で覆い、加熱することでInAs NWsへと材質変換する技術である。我々は、その途中段階であるInGaAs NWsをフォトルミネッセンス法で調査することで、変質処理過程におけるNWsへの影響を議論した。その結果、変質処理によって高In濃度のInGaAs NWsが形成されており、In導入量に強い場所依存が生じることが示唆された。