[14p-E205-1~14] 13.7 ナノ構造・量子現象

[14p-E205-8] 変質処理によりInを導入させたGaAsナノワイヤの発光特性

〇中野 真理菜¹、合田 拓矢¹、碇 哲雄¹、西岡 康平²、石川 史太郎²、福山 敦彦¹ (1.宮崎大工、2.愛媛大工)

キーワード：半導体、ナノワイヤ、フォトルミネッセンス

化合物半導体ナノワイヤ(NWs)の波長制御や酸化物化を実現するために、変質処理法が提案されている。これは成長したGaAs NWsをIn液滴で覆い、加熱することでInAs NWsへと材質変換する技術である。我々は、その途中段階であるInGaAs NWsをフォトルミネッセンス法で調査することで、変質処理過程におけるNWsへの影響を議論した。その結果、変質処理によって高In濃度のInGaAs NWsが形成されており、In導入量に強い場所依存が生じることが示唆された。