[14p-E206-1~11] 9.3 ナノエレクトロニクス

[14p-E206-3] 多重ゲートナノワイヤFETによる空間分布分子電荷検出実証のための単一分子表面分散手法の検討

〇佐々木 健太郎¹、岡本 翔真¹、殷 翔¹、佐藤 将来¹、葛西 誠也¹ (1.北大)

キーワード：ナノワイヤFET、電荷空間分布検出、静電塗布

単一分子がもつ電子機能を利用し情報処理を行う集積分子システムの実現には分子ネットワーク中の電荷の空間的挙動のリアルタイムで検出する技術が必要である。我々は空間分布する微小電荷を高速かつ簡便に検出する手法として、多重ゲートナノワイヤFETを用いて金属ゲートと分子の容量結合による局所電荷検出を提案し、本コンセプト実証に向け、要素技術である多重ゲートFET の試作および単一分子の均一表面分散の検討を行った。