[14p-F201-1~14] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[14p-F201-11] Si中Cu₄複合体と水素の不純物反応

〇白井 光雲¹、藤村 卓巧¹ (1.阪大産研)

キーワード：銅複合欠陥、水素反応

シリコン中のCu４個からなる複合体欠陥は非常に安定であるにも関わらず、水素が入ると容易に壊変する。その機構を理論から解明する。前回までに、Cu４に4個までの水素が結合しCu4Hm複合体を形成することを明らかにしたが。今回はさらに水素を12まで増やすと、水素分子も形成され最終的にはCu4がかい離することを示す。