[14p-F204-1~15] 12.7 医用工学・バイオチップ

[14p-F204-7] 制御ラジカル重合による分子認識ゲル修飾ゲート電界効果トランジスタの創製

〇加治佐 平¹、坂田 利弥² (1.株式会社PROVIGATE、2.東大院工)

キーワード：電界効果トランジスタ、分子認識ポリマー、制御ラジカル重合

バイオセンサにおける精密な界面修飾方法として制御ラジカル重合を応用することで高分子膜界面の設計指針を検討し，高感度および高精度なMIP-FETの創製を目的とした。その結果，初期ゲート表面電位の安定化速度が短縮され，その後，グルコース添加によるゲート表面電位の応答速度が速くなったことが確認された。このことから，精度，測定速度など実用に向けたバイオセンサの開発への可能性が示唆された。