[14p-P10-1~98] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[14p-P10-28] Irスペーサー層を有するp-SAF構造を用いた垂直磁化MTJの作製とスピントルク反転特性

〇杉原 敦¹、薬師寺 啓¹、福島 章雄¹、湯浅 新治¹ (1.産総研)

キーワード：トンネル磁気抵抗効果、p-SAF、STT-MRAM