[14p-P10-1~98] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[14p-P10-92] InSb薄膜ホール素子による微小磁場計測

〇眞砂 卓史¹、笠原 健司¹、柴崎 一郎² (1.福岡大理、2.野口研究所)

キーワード：ホール素子、微小磁場計測

今回、移動度の高いInSb多結晶薄膜にフェライトチップを組み合わせた磁気増幅構造をもつInSb薄膜ホール素子について、微小磁場計測とそのノイズレベルについて検討した結果を報告する。使用したホール素子は、GaAs上に直接成長したInSb薄膜（0.7 mm）をクロスバー状のホール素子に加工し、フェライト基板およびフェライトチップでサンドイッチした構造で、フェライトにより磁束を動作領域に集中させ、感度を数倍に向上させたものである（旭化成エレクトロニクスにより作製）。印加磁場に対して、非常に線形性がよくノイズの少ない結果が得られており、1 uTレベルが十分な精度で測定できた。ノイズレベルの検討から、測定電圧のノイズは、標準偏差が130 nT、最大ノイズレベルが250 nT程度に相当しており、InSb薄膜ホール素子において、サブuTレベルの測定が可能であることが分かった。