[14p-P3-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [14p-P3-4] 直接接合のための表面粗さを抑制したサファイア反応性イオンエッチングプロセスの確立

〇内田 諒¹、岩見 健太郎¹、梅田 倫弘¹ (1.東京農工大工)

キーワード：サファイア、表面粗さ、反応性イオンエッチング