[14p-P4-1~78] 17 ナノカーボン（ポスター）

[14p-P4-18] 電界誘起層形成法により分離した半導体ＣＮＴのＴＦＴ特性におけるＣＮＴの長さ依存性評価

〇桑原 有紀^1,3、佐々木 扶紗子³、二瓶 史行²、斎藤 毅^1,3 (1.産総研、2.NEC、3.TASC)

キーワード：カーボンナノチューブ、薄膜トランジスタ

近年、半導体CNTの高純度化によりTFTの性能は飛躍的に向上した。さらなるTFTの性能向上にはCNTの一次・二次構造に関するパラメータと特性の相関の解明は重要である。これまで我々は、半導体CNTの高純度化技術である電界誘起層形成法（ELF法）を開発し、このCNTのインクを用いて特性ばらつきが少ない高性能TFTを報告している。本研究では、さらにCNT長で分級しTFT特性の長さ依存性を評価した。