[14p-P4-1~78] 17 ナノカーボン（ポスター）

[14p-P4-2] 高真空アルコールガスソース法によるRu触媒からの単層カーボンナノチューブの低温成長

〇藤井 貴之¹、桐林 星光¹、小川 征悟¹、才田 隆広¹、成塚 重弥¹、丸山 隆浩¹ (1.名城大院理工)

キーワード：カーボンナノチューブ、化学気相成長、触媒

単層カーボンナノチューブ(SWCNT)は優れた特性を有していることから、エレクトロニクス材料への応用が期待されている。我々は白金族元素のPt およびRh触媒を用いたSWCNTの低温成長に成功してきた。しかしこれらの金属は高価なため、同じ白金族元素であるRuに着目した。過去の報告で我々はRu触媒で成長温度500 ℃でのSWCNT成長を報告している。本研究では複数の励起波長でラマン分光測定を行い直径分布を算出し、触媒の粒径との関係を調べた。