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[14p-P4-25] グラフェンフレークの酸素還元活性を援用した水中でのGe表面エッチング
キーワード:還元グラフェン、半導体表面、エッチング
酸化グラフェンを化学的に処理して得た還元グラフェンのフレークをGe表面上に分散・堆積した。そして、この試料を溶存酸素濃度が異なる二種類の純水中に浸漬した。得られた表面形状をAFMにより観察し、酸素ガスが多く溶存した純水に浸した場合のみ、Ge表面上にフレークサイズと同等のピット痕が存在することを見出した。これは、グラフェンの酸素還元活性により、Ge表面のエッチングレートが向上したこと示唆している。