[14p-P4-1~78] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[14p-P4-28] Study on graphene nucleation at low temperature in direct precipitation method using W capping layer

〇Jumpei Yamada¹, Yuki Ueda¹, Daichi Yamamoto¹, Kyosuke Fujiwara¹, Takahiro Maruyama¹, Shigeya Naritsuka¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:Graphene, low-temperature growth, nucleation

本研究では、Wキャップ層を用いた析出法において加熱温度を400℃～900℃の範囲に渡って変化させ、冷却過程におけるグラフェンの核形成に関して調べたので報告する。その結果、525℃でグラフェン核が形成され始める事が分かった。炭素の析出速度を適切に制御することにより、同温度でグラフェンが成長できる可能性が示唆された。