[14p-P4-1~78] 17 ナノカーボン（ポスター）

[14p-P4-28] Wキャップ層を用いた直接析出法における低温でのグラフェン核形成に関する検討

〇山田 純平¹、上田 悠貴¹、山本 大地¹、藤原 亨介¹、丸山 隆浩¹、成塚 重弥¹ (1.名城大理工)

キーワード：グラフェン、低温成長、核形成

本研究では、Wキャップ層を用いた析出法において加熱温度を400℃～900℃の範囲に渡って変化させ、冷却過程におけるグラフェンの核形成に関して調べたので報告する。その結果、525℃でグラフェン核が形成され始める事が分かった。炭素の析出速度を適切に制御することにより、同温度でグラフェンが成長できる可能性が示唆された。