[14p-P4-1~78] 17 ナノカーボン（ポスター）

[14p-P4-30] プラズマCVD によるグラフェン成長過程のその場偏光解析測定と解析

〇林 康明¹、石徹白 智¹、山田 隼也¹、河村 侑馬¹ (1.京都工繊大工芸科学)

キーワード：グラフェン、偏光解析、プラズマCVD

成長初期過程の表面状態をその場で観測し解析および制御することが重要であると考え、マグネトロンプラズマCVD によりグラフェンを成長しながら、レーザーを光源とした偏光解析法によるモニタリングを行っている。今回は、圧力による成長形態の違いを比較した。その結果、最初は基板面方向にその後垂直方向に成長し、成長方向の変化は低圧の方が遅い段階で起きることが分かった。