[14p-P4-1~78] 17 ナノカーボン（ポスター）

[14p-P4-31] 二軸電界印加法を用いた酸化グラフェン(rGO)/Siヘテロ接合の形成

〇伊藤 優征¹、小宮山 崇夫¹、長南 安紀¹、山口 博之¹、青山 隆¹ (1.秋田県大システム科学技術)

キーワード：酸化グラフェン、電界、還元

SiO₂膜を除去し、Si上に直接GOを塗布するrGO/Siヘテロ接合に関して、二軸電界印加下で乾燥、その後還元するプロセスがrGOの膜質に及ぼす影響について報告する。