[14p-P4-1~78] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[14p-P4-38] Schottky-barrier heights for Cu/graphene/ZnO hetero-junctions formed by direct bonding technique

〇Daichi Hayashi¹, Takao Komiyama¹, Yasunori Chonan¹, Hiroyuki Yamaguchi¹, Takashi Aoyama¹ (1.Akita Prefectural Univ.)

Keywords:graphene, direct bonding

Cu/G薄膜とZnO単結晶のショットキー接合を貼り合わせ法を用いて作成し、そのI-V特性からショットキー障壁の高さについて検討した。具体的には、逆方向電流と順方向電流からそれぞれ算出した障壁エネルギーの値を酸化亜鉛の酸素面と亜鉛面について比較、検討した。