[14p-P4-1~78] 17 ナノカーボン（ポスター）

[14p-P4-46] 溶液ゲート型グラフェン電界効果トランジスタ特性のドリフト評価

〇牛場 翔太¹、小野 尭生²、金井 康²、木村 雅彦¹、松本 和彦² (1.村田製作所、2.阪大産研)

キーワード：グラフェン、電界効果トランジスタ、ナノデバイス

グラフェン電界効果トランジスタ（FET）は、周囲の温度や濃度といった環境の変化に敏感に反応しドレイン電流I_DSやディラック点が大きく変化する。本研究では、グラフェンFET特性の経時変化を評価した。電解質溶液をFET上に滴下し、銀／塩化銀電極を介してグラフェンにゲート電圧V_GSを印加した。I_DS-V_GSを一定時間間隔で測定し、ディラック点とドレイン電流の経時変化を調べた。時間経過とともに、ディラック点は負側へシフトし、I_DSは下がり続けることがわかった。ドレイン電圧や電解質溶液の濃度といった実験条件を変えて、ドリフトへの影響を調べた。さらに、電解質溶液を滴下せずバックゲートよりゲート電圧を印加してグラフェンFETのドリフトを評価し、溶液ゲートがドリフトに与える影響について議論した。