[14p-P4-1~78] 17 ナノカーボン（ポスター）

[14p-P4-60] MoS₂クラスター成長過程の第一原理計算による研究

〇岡田 克也¹、影島 博之¹ (1.島根大院総合理工)

キーワード：二硫化モリブデン、第一原理計算

二硫化モリブデン(MoS₂)は二次元半導体であり，バンドギャップを持つ材料である．そして，MoS₂は新たな電子デバイスの新材料として期待されている．そこで，工業利用のためにMoS₂の結晶成長のメカニズムが重要となる．実験により，初期段階の単層のMoS₂結晶は三角形に成長することが報告されている．本研究では，MoS₂の結晶成長の初期段階のメカニズムは第一原理計算によって理論的に検討した．