[14p-P4-1~78] 17 ナノカーボン（ポスター）

[14p-P4-67] 電界効果近接場による単層MoS₂ 薄膜の局所キャリア注入と構造制御

〇野崎 純司¹、福村 武蔵¹、青木 孝晶¹、真庭 豊¹、蓬田 陽平¹、柳 和宏¹ (1.首都大理工)

キーワード：近接場分光(SNOM)、電界効果、遷移金属カルコゲナイド(TMDCs)

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）単層薄膜は特異な光物性を有し、その局所構造と発現する光物性との関係解明は重要な課題である。その為、局所的に電場印加した状態で近接場分光測定が可能な測定系（電界効果近接場）を構築し、単層MoS₂に対し正のバイアス印加によって約100nm程度の局所領域における発光の可逆的変調制御を実証した。また、更に、負のバイアス印加時の構造不安定性を活用した局所構造制御を実現することにも成功した。