[14p-P4-1~78] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

△ [14p-P4-7] CNT growth area density on crystalline-controlled TiN buffer layer

〇(B)Takatsugu Onishi¹, Hiroki Miyaji¹, Tomoki Hongo¹, Adam Pander¹, Akimitsu Hatta^1,2, Hiroshi Huruta^1,2 (1.Kochi Univ. of Technol., 2.Center for Nanotechnol. Research Inst.)

Keywords:TiN, Carbon nanotubes, buffer layer

CNT(カーボンナノチューブ)は機械的強度，電気伝導性，熱伝導性などの優れた特徴を持ち、様々なデバイスへの応用が期待されている物質である．CNTの産業化のため，従来課題としてCNTの品質制御や直系密度等構造制御が必要とされ，これまでに，表面平滑なTiN薄膜を触媒下地層に用いることで，CNT成長密度の高密度化（～10¹³/cm²）が報告されている[1]．本研究では触媒の下地層としてマグネトロンスパッタリングにより堆積したTiN薄膜を用い，TiN下地層薄膜の結晶構造など膜質と，CNT成長形態の相関を明らかにすることを目的とする．