[14p-P4-1~78] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[14p-P4-75] Temperature dependent operating characteristics of tungsten disulfide FET

〇(M2)Nobuya Kawai¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:transition metal dichalcogenide, field effect transistor

バンドギャップを持ち，層間剥離が容易で，表面が不活性かつ平坦な層状物質二硫化タングステンを半導体層としたFETを作製し，温度を可変（10-300 K）しながら測定を行なった。Cr/Au，Ti/Au，Pt電極等のFETを作製したところ，Pt電極のFETは明確に両極動作を示し，他はn型動作を示した。電流値からアレニウスプロットをとりその傾きからショットキー障壁の高さ（SBH）の算出をおこない，ゲート電圧，ドレイン電圧によるSBHの変調を確認した。