[14p-P4-1~78] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[14p-P4-76] Fabrication of layered group-13 chalcogenide single crystal FETs having PMMA buffer layers

〇(M2)Toru Tamura¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:Indium selenide, layered material

本研究では層状InSeの単結晶成長、構造・物性評価、及びPMMAバッファー層を有する電界効果トランジスタ（FET）への応用を試みた。構造評価ではX線回折、ラマン分光の測定データが既報告と一致し、得られた単結晶がInSeであることが確認された。また、FETはn型動作を示し、線形移動度は5.32 cm²/Vs、on/off比は1.1×10²であった。既報告の移動度やon/off比には及ばなかったが、PMMAバッファー層の導入によりInSe FETの移動度を改善できた。