[14p-P7-1~16] 3.11 Photonic structures and phenomena

[14p-P7-11] Controlling the spontaneous emission rate of single isoelectronic luminescence centers in photonic crystal cavities

〇(M2)Ruoxi Wang¹ (1.Tsukuba Univ.)

Keywords:emission center, photonic crystal, single photon source

GaAsに希薄ドープされた窒素不純物による等電子トラップは、数百ps程度の短い寿命を持つ明るい単一光子源や、エネルギーが良く揃った単一光子源などとして有用である。我々は窒素をデルタドープしたGaAs薄膜にフォトニック結晶共振器を作製し、単一光子発生とその発光寿命を制御することが出来たので報告する。