[14p-P7-1~16] 3.11 フォトニック構造・現象

[14p-P7-15] GaN/AlGaN電圧変調型狭帯域熱輻射光源の設計

〇(D)Kang Daniel Dongyeon¹、井上 卓也^1,2、浅野 卓¹、野田 進¹ (1.京大院工、2.K-CONNEX)

キーワード：熱輻射、フォトニック結晶、GaN

フォトニック結晶を利用した狭帯域熱輻射光源は、光吸収による物質検出システムの小型・低消費電力化を可能にするデバイスとして期待されている。我々は、これまで、GaAs/AlGaAs多重量子井戸(MQW)のサブバンド間遷移(ISB-T)とフォトニック結晶(PC)を利用して光源の放射率(吸収率)を制御し、波長9 µm付近で極めて狭帯域(Q>100)な熱輻射スペクトルを実証するとともに、MQWの電子密度を電圧により制御することで、熱輻射の高速変調動作(~MHz)を実証してきた。また、上記のGaAs系熱輻射光源よりも高温で動作可能なGaN/AlGaNフォトニック結晶熱輻射光源を開発することで、波長赤外領域3~8 µmにおいても狭帯域(Q>90)な熱輻射スペクトルを実証した。今回、このGaN/AlGaNフォトニック結晶熱輻射光源の高速変調動作の実現を目指して、構造の設計を行ったので報告する。