[14p-P7-1~16] 3.11 フォトニック構造・現象

[14p-P7-8] フォトリソグラフィを用いて300mm SOI基板に作製したシリコンフォトニック結晶ナノ共振器の位置依存性

〇芦田 紘平¹、岡野 誠²、大塚 実²、関 三好²、横山 信幸²、越野 圭二²、山田 浩治²、高橋 和¹ (1.大阪府大院工、2.産総研)

キーワード：フォトニック結晶ナノ共振器、フォトリソグラフィ、CMOS互換プロセス

フォトリソグラフィ法を用いた高Q値シリコンナノ共振器の作製を検討することは，将来の産業応用を見通す上で重要である．前回の報告で，フォトリソグラフィ法を用いてQ値100万を越えるナノ共振器が作製可能であることを確認した．そのため，今回は製造技術を確立する上で重要な要素である面内均一性を見積もるため，300mmSOI基板内9点において光学特性を評価したので，その結果を報告する．