[14p-P8-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[14p-P8-3] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの電気特性

〇韓 旭¹、西山 哲央¹、鎌田 直樹¹、大貫 雄也¹、べリヤナヤガム ガンディカッラサン¹、内田 和希¹、相川 政輝¹、杉山 滉一¹、早坂 夏樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大学理工)

キーワード：InP/Si、直接貼り付け、GaInAsP