[14p-P8-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

[14p-P8-6] Photoresponse of MoS₂ Phototransistor

〇Yuga Miyamoto¹, Daiki Yoshikawa¹, Kuniharu Takei¹, Takayuki Arie¹, Seiji Akita¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:phototransistor, MoS2, photoresponse

MoS₂等の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は、グラフェンとは異なり明確なバンドギャップをもちオプトエレクトロニクス材料として有望な材料であり、研究が進められている。中でもMoS₂電界効果トランジスタでは光照射後に光電流が維持されるPersistent photocurrent (PPC)が報告されている。本研究では、PPCに着目し MoS₂-FETの光応答特性について検討した。