2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[14p-P8-1~10] 3.13 半導体光デバイス

3.13と3.15のコードシェアセッションあり

2017年3月14日(火) 16:00 〜 18:00 P8 (展示ホールB)

16:00 〜 18:00

[14p-P8-6] MoS2-フォトトランジスタの光応答特性

宮本 悠雅1、吉川 大貴1、竹井 邦晴1、有江 隆之1、秋田 成司1 (1.大阪府大工)

キーワード:フォトトランジスタ、二硫化モリブデン、光応答

MoS2等の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は、グラフェンとは異なり明確なバンドギャップをもちオプトエレクトロニクス材料として有望な材料であり、研究が進められている。中でもMoS2電界効果トランジスタでは光照射後に光電流が維持されるPersistent photocurrent (PPC)が報告されている。本研究では、PPCに着目し MoS2-FETの光応答特性について検討した。