[14p-P9-1~30] 8 Plasma Electronics（Poster）

[14p-P9-1] Hexagonal BN atomic layer formation with plasma chemical transport
– Effect of copper silicide substrate

〇Takeshi Kitajima¹, Toshiki Nakano¹ (1.Nat. Def. Acad.)

Keywords:Nano thin film, Atomic layer, Plasma

我々はプラズマ源利用によるh-BN低温形成を試行し、これまでにプラズマ源近傍からの炭素不純物によるh-BN-グラフェン混晶の発生を示してきた。今回、Cu/(SiO₂)/Si(100)積層構造からの銅シリサイド基板を用い、比較的大きなドメインのh-BN系薄膜が形成されたとみられる。